教你如何選擇高性?xún)r(jià)比SiC功率器件?
2025-04-11 14:38
本項(xiàng)目主要針對(duì)1200V等級(jí)系列高壓大功率器件芯片技術(shù)展開(kāi)研究。碳化硅()為代表的寬禁帶半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一,已經(jīng)成為增長(zhǎng)潛力巨大的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。
除汽車(chē)與光伏外,碳化硅器件還被廣泛應(yīng)用于充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、軌道交通、UPS等許多領(lǐng)域,在這些領(lǐng)域不斷發(fā)展的同時(shí),也在持續(xù)提升器件的滲透率,讓成為了各大半導(dǎo)體企業(yè)的。
除了電動(dòng)汽車(chē),基于的功率器件也被視為用于太陽(yáng)能電池板、快速充電站、高壓工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和鐵路基礎(chǔ)設(shè)施的光伏(PV)逆變器的關(guān)鍵組成部分。
氧化鎵,是繼Si、及后的第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料,以β-Ga2O3單晶為基礎(chǔ)材料的功率器件具有更高的擊穿電壓與更低的導(dǎo)通電阻,從而擁有更低的導(dǎo)通損耗和更高的功率轉(zhuǎn)換效率,在功率電子器件方面具有極大的應(yīng)用潛力。
目前功率器件主要以Si基材料為主,包括SOI高壓集成電路,隨著第三代半導(dǎo)體的發(fā)展,以和為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料開(kāi)始成為功率半導(dǎo)體的新興材料。
報(bào)道(文/)這幾年和等第三代半導(dǎo)體器件的商用化進(jìn)展還不錯(cuò),器件在快充上開(kāi)始大規(guī)模應(yīng)用,器件也在汽車(chē)上嶄露頭角?,F(xiàn)在大家對(duì)第三代半導(dǎo)體器件的前景非常看好,很多
成立于2018年9月,是一家碳化硅功率器件設(shè)計(jì)及方案商,致力于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計(jì)研發(fā)與產(chǎn)品銷(xiāo)售。公司創(chuàng)始人深耕功率器件領(lǐng)域10余年,研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化多款功率器件已量產(chǎn)并導(dǎo)入國(guó)內(nèi)國(guó)外客戶(hù)。
公司在全產(chǎn)業(yè)鏈上布局完善,有望驅(qū)動(dòng)未來(lái)增長(zhǎng)。公司通過(guò)定增加大碳化硅功率器件領(lǐng)域投資,2021年,公司依靠5億募集資金及3.98億自有資金投資碳化硅功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。公司從事芯片設(shè)計(jì)的控股子公司廣微集成在領(lǐng)域具有多年的技術(shù)積累。涉及外延片的子公司已有意向客戶(hù),正準(zhǔn)備外延片的生產(chǎn)。微電子(晶圓加工)計(jì)劃明年實(shí)現(xiàn)功率器件的量產(chǎn)。從事超薄片背道代工的預(yù)計(jì)在明年投產(chǎn)后開(kāi)展背道減薄代工業(yè)務(wù)。
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