產(chǎn)品中心
PRODUCT CENTER
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詳細(xì)介紹
[ 產(chǎn)品概要]
?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。
耐高壓?低導(dǎo)通電阻?高速開關(guān)、實(shí)現(xiàn)整機(jī)的小型化和節(jié)能化。
特長
?• N-ch SiC功率MOSFET
• 低導(dǎo)通電阻
• 高溫時的導(dǎo)通電阻增加小
• 高速開關(guān)
產(chǎn)品規(guī)格
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絕對最大額定值(Ta=25ºC) |
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Rated parameters |
Standard value |
Conditions |
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Drain-Source voltage VDSS(V) |
600 |
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Gate-Source voltage VGSS(V) |
-3 ～+22 |
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Drain current(continuous) ID(A) |
10 |
Please use the device with SOA(safety operation area) |
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Source current(body Di) IS |
- |
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Total power dissipation PD |
- |
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Channel temperature Tch(ºC) |
150 |
|
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Storage temperature Tstg(ºC) |
-55 ～+150 |
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